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参数目录41693
> IXTQ160N10T MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
型号:
IXTQ160N10T
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXTQ160N10T PDF
标准包装
30
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
132nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6600pF @ 25V
功率 - 最大
430W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装
TO-3P
包装
管件
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